Samsung prezentuje dyski SSD zwiększonej pojemności.

dysk samsung ssd 850 evo msata

Samsung zapowiedział wyprodukowanie pamęci flash 3D Vertical NAND 256-gigabit. Ten układ bazuje na 48 warstwowej macierzy 3 bitowych komórek.

Pamięć o wyższej gęstości toruje drogę do jeszcze większej pojemności dysków w przyszłości. Samsung, Toshiba, SanDisk, Intel i Micron intensywnie pracują nad rozwoju technologii NAND, więc mamy nadzieję, że konsumenci skorzystają na konkurencyjnym wyścigu cen  pamięci.

Nowy układ pozwoli  łatwo podwoić pojemność przyszłych SSD  i stanowi idealne rozwiązanie produkcji nośników o wielkości liczonej w terabajtach.  Samsung ma już w swojej ofercie  2TB dysk SSD.

Czipy są częścią rodziny 3D NAND gdzie komórki, które przechowują dane,  ułożone są w układzie pionowym w celu zwiększenia pojemności pamięci masowej, przy zachowaniu tej samej powierzchni. Samsung potrafi składować więcej komórek w formacie 48 warstw, w porównaniu do 32 w poprzedniej generacji.  3D V-NAND jest trzecia generacją konstrukcji pamięci Samsunga.

W nowym układzie wykorzystano technologię 3D CTF. Warstwy są połączone poprzez 1800000000 kanałów. Każda z 85300000000 komórek może przechowywać trzy bity danych, a to w sumie daje 256 miliardów bitów danych. Oznacza to, że 256 GB danych jest przechowywany w układzie scalonym o wielkości opuszka palca.

Nowy proces 48 warstwy wykorzystuje 30% mniej energii niż w wersji 32-warstwowego przy przechowywaniu takiej samej ilości danych. Wydajność układów zwiększyła się o 40%, więc w pierwszej kolejności pamięci trafią do przedsiębiorstw i centrów danych. Nie wiadomo, kiedy dyski będą dostępne dla konsumentów, ani ile będą kosztować.

Samsung będzie konkurować z partnerstwa Toshiba i SanDisk, a także wspólnych działań rozpoczętych przez Intel i Micron. Wcześniej w tym miesiącu, Toshiba i SanDisk ogłosił, że testy 48-warstwowej matrycy 256GB TLC  rozpocznie  we wrześniu. Intel i Micron ogłosił w marcu 32 warstwowy proces, które mogłyby pozwolić na produkcję dysków SSD o pojemności 10 TB, a miesiąc temu zapowiedziano rewolucyjny rodzaj pamięci o nazwie 3D XPOINT zapewniającą większą szybkość i zwiększoną trwałość w porównaniu do projektów NAND.

źródło: www.techradar.com